详细介绍
半导体技术的一个重要目标是减少所有构成半导体器件中,晶体和非晶层中固有的和因生产工艺引起的缺陷。杂质、晶界、晶面等引起的缺陷会导致陷阱的产生,陷阱可以俘获自由电子和空穴。即使浓度非常低,陷阱也能ji大地改变半导体器件的性能。数字化深能级瞬态谱仪DLTS是现在一种非常通用的技术,可用于测定与陷阱相关的几乎所有参数,包括密度、热界面(热发射率)、能级和空间剖面等。
主要特点
●快速而灵敏地检测半导体中的电活性缺陷
●高灵敏度:体陷阱检测限< 109 atoms/cm3;
●具有低至3微秒的快速响应时间
●具有对过载的快速恢复能力以及对泄露电流的高免疫能力
●快速温度扫描能力:每8分钟100K且不影响灵敏度
●高达60dB的背景电容抑制能力度
●数字采集包括:16位分辨率,1毫秒的采样增量,50倍的时间跨度,和不限平均点数的平均瞬态
●单次温度扫描可同时记录不同发射率窗下的8幅谱图
数字化深能级瞬态谱仪DLTS主要应用
●PN结 ●肖特基二极管
●MOS管 ●LED
●场效应管 ●半导体激光器
●高电阻率半绝缘材料
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